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經(jīng)顱磁刺激左VLPFC或右DLPFC可促進(jìn)工作記憶中的遺忘

時間:2025-07-17 編輯:瀚翔腦科學(xué) 瀏覽數(shù):3797

遼寧師范大學(xué)的高賀明教授團(tuán)隊再發(fā)高分SCI!該團(tuán)隊在Psychological Medicine(IF=5.5)發(fā)表了名為 Transcranial magnetic stimulation to left VLPFC or right DLPFC promotes forgetting in working memory 的文章。


一、研究背景

工作記憶(WM)是一種暫時存儲和處理有限容量信息的系統(tǒng),有意遺忘任務(wù)相關(guān)信息可以減少WM負(fù)荷,促進(jìn)任務(wù)相關(guān)信息的加工。

一些研究開發(fā)了工作記憶導(dǎo)向遺忘(WM - DF)范式,以研究WM中任務(wù)相關(guān)和任務(wù)無關(guān)信息的處理方式。受試者被要求記住一些項目,然后給他們一個回憶/遺忘提示,表明這些項目是要記住的(TBR)還是要忘記的(TBF)。結(jié)果顯示,被試對TBR條目的記憶優(yōu)于TBF條目,存在DF效應(yīng)(即指通過主動控制機(jī)制在工作記憶中抑制或清除不相關(guān)信息的認(rèn)知過程)。

同時,為了研究前額葉皮層激活對記憶調(diào)節(jié)的不同影響,采用高頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激(rTMS)分別刺激左側(cè)VLPFC(參與思想替代機(jī)制)和右側(cè)DLPFC(參與直接抑制過程)。本研究假設(shè)使用rTMS激活右側(cè)DLPFC會通過增強(qiáng)直接抑制過程來損害TBF項目的記憶,從而為抑制理論提供支持。


二、研究方法

1、實(shí)驗程序

受試者進(jìn)行WM-DF任務(wù)的練習(xí)(32個試次)。短暫休息(5分鐘)后,受試者接受約12.2 min的高頻rTMS。之后,受試者執(zhí)行約45分鐘的WM-DF任務(wù)。

對于WM-DF任務(wù),每次試驗開始時固定500毫秒。然后,在固定的左右兩側(cè)分別呈現(xiàn)兩個項目,持續(xù)1000 ms。在500 ms空白后,在注視的一側(cè)呈現(xiàn)一個提示,持續(xù)500 ms。在4000毫秒的空白之后,搜索數(shù)組將呈現(xiàn)長達(dá)5000毫秒的時間,并在受試者按鍵后消失。在1000毫秒的空白之后,進(jìn)行記憶測試,并在2000毫秒進(jìn)行反應(yīng)(圖1)。正式實(shí)驗包括240個試次(每種情況40個試次)。每組60個試次后,受試者進(jìn)行短暫休息(2分鐘)。


圖1 實(shí)驗設(shè)計和程序。

注:經(jīng)顱磁刺激分別作用于左腹外側(cè)前額葉皮層(VLPFC)、右背外側(cè)前額葉皮層(DLPFC)和頂點(diǎn)區(qū)。利用SimNIBS軟件對模擬電場進(jìn)行了圖示。紅色方塊在IR條件下作為有意TBR項目,在IF條件下作為替代TBR項目。紫色五角形作為被動TBF或主動TBF項目。


2、WM-DF任務(wù)

本研究采用一種改進(jìn)的WM-DF任務(wù)(圖1)在這項任務(wù)中,受試者最初被要求記住兩個項目,其中一個隨后被提示在IR(提示記住與任務(wù)相關(guān)的信息而忘記與任務(wù)無關(guān)的信息)或IF條件(忘記與任務(wù)無關(guān)的信息,同時記住與任務(wù)有關(guān)的信息)下記住或忘記。最終得到了四種類型的項目,即有意TBR和被動TBF(IR條件),替代TBR和主動TBF(IF條件)。(注:紅色方塊在IR條件下作為有意TBR項目,在IF條件下作為替代TBR項目。紫色五角形作為被動TBF或主動TBF項目。)

然后,通過視覺搜索任務(wù)來評估與TBR或TBF項目相關(guān)的記憶痕跡強(qiáng)度。在視覺搜索任務(wù)中,受試者被要求通過按鍵盤上的“Z”或“M”鍵來區(qū)分嵌入在物體中的目標(biāo)黑線的方向(左或右)。根據(jù)干擾物匹配類型,將實(shí)驗分為兩類,即干擾物匹配和不匹配實(shí)驗。在干擾物匹配實(shí)驗中,搜索數(shù)組中的一個對象與記憶項目的顏色和形狀都匹配。在干擾物不匹配的實(shí)驗中,搜索數(shù)組中沒有一個對象與記憶對象有任何相同的特征。根據(jù)線索類型和干擾物匹配類型的組合,得到了6種條件:有意TBR匹配實(shí)驗、被動TBF匹配實(shí)驗、替代TBR匹配實(shí)驗、主動TBF匹配實(shí)驗、IR不匹配實(shí)驗和IF不匹配實(shí)驗。

TBR/TBF項目在搜索數(shù)組中充當(dāng)干擾。與不存在干擾物的情況相比,存在干擾物的情況(與TBR/TBF項目相匹配的干擾物)的反應(yīng)時更長,說明存在干擾物的注意捕獲效應(yīng)(ACE)(注:指環(huán)境中某些突顯的、任務(wù)無關(guān)的刺激自動吸引注意力的心理現(xiàn)象)。干擾物的記憶痕跡越強(qiáng),ACE的程度越高。


3、記憶測試

在記憶測試中,受試者被要求通過按鍵盤上的“Z”或“M”來反應(yīng)所呈現(xiàn)的項目是否與TBR項目相同。記憶測試只測試TBR(有意TBR和替代TBR)項的記憶。


4、TMS刺激方案

使用經(jīng)顱磁刺激儀(M-100 Ultimate,深圳英智科技有限公司,中國深圳)的八字形線圈(BY-90A)進(jìn)行10Hz的高頻刺激,刺激強(qiáng)度設(shè)置為110%的靜息運(yùn)動閾值(RMT)。

線圈的位置根據(jù)國際10-20 EEG系統(tǒng)確定,其中F4為右側(cè)DLPFC的位置,F(xiàn)7為左側(cè)VLPFC刺激的位置,Cz代表頂點(diǎn),由于頂點(diǎn)刺激對正在進(jìn)行的任務(wù)相關(guān)過程的影響最小,因此本研究中用作控制條件。

經(jīng)顱磁刺激分別作用在左腹外側(cè)前額葉皮層(VLPFC)、右背外側(cè)前額葉皮層(DLPFC)和頂點(diǎn)區(qū)。利用SimNIBS軟件對模擬電場進(jìn)行了圖示(圖1)。一共進(jìn)行了33次刺激,每次持續(xù)3秒,每次刺激間隔20s,在12.2 min內(nèi)的脈沖總數(shù)為990次。


5、數(shù)據(jù)分析

對于視覺搜索任務(wù),分別以搜索類型(有意TBR匹配、被動TBR匹配、替代TBR匹配、主動TBR匹配、IR不匹配和IF不匹配)和刺激位置組(右DLPFC、左VLPFC和頂點(diǎn))作為被試間因素對搜索精度和logRT進(jìn)行重復(fù)測量方差分析。不同項目類型的ACE是通過從匹配試驗中減去不匹配試驗的logRT來計算的。

對于ACE,以項目類型(有意TBR、被動TBF、替代TBR和主動TBF)作為被試內(nèi)變量,以組為被試間變量,進(jìn)行重復(fù)測量方差分析。


三、研究結(jié)果

1、視覺搜索任務(wù)的結(jié)果

對于檢索精度,方差分析顯示實(shí)驗類型是主要影響因素。兩兩比較顯示:

(1)與替代TBR匹配和主動TBR匹配實(shí)驗相比,IF不匹配的準(zhǔn)確性更高。

(2)被動TBF匹配試驗的準(zhǔn)確性高于非IR匹配試驗;在有意TBR匹配試驗和IR非匹配試驗之間沒有發(fā)現(xiàn)準(zhǔn)確性差異。各組主效應(yīng)和實(shí)驗類型與組間交互作用均不顯著。


簡單效應(yīng)分析顯示:

(1)三組中,與IR不匹配的試驗(即有意TBR項目的ACE)相比,有意TBR匹配的logRT更長。

(2)在左側(cè)VLPFC組中,被動TBF匹配組的logRT(即被動TBF項目的ACE)比IR不匹配組更長,而在頂點(diǎn)組和右側(cè)DLPFC組中則沒有。

(3)與IF不匹配試驗相比,三組替代TBR匹配和主動TBF匹配實(shí)驗(即替代TBR和主動TBF項目的ACE)的logRT均較長。(表1)


ACE項目類型與組交互作用顯著。簡單效應(yīng)分析結(jié)果表明:

(1)三組TBR(有意TBR和替代TBR)項目的ACE均大于TBF(被動TBF和主動TBF)項目;

(2)頂點(diǎn)組替代TBR的ACE大于有意TBR項目,而右DLPFC組和左VLPFC組的ACE均大于有意TBR項目;頂點(diǎn)組主動TBF的ACE大于被動TBF,但右DLPFC組和左VLPFC組的ACE均大于被動TBF ;

(3)對于有意TBR,與頂點(diǎn)組相比,右側(cè)DLPFC 和左側(cè)VLPFC的ACE均增加。右側(cè)DLPFC組與左側(cè)VLPFC組間無差異;

(4)對于替代TBR,左側(cè)VLPFC組和頂點(diǎn)組的ACE均大于右側(cè)DLPFC組和頂點(diǎn)組。左側(cè)VLPFC與頂點(diǎn)組間無差異;

(5)對于被動TBF,左側(cè)VLPFC與頂點(diǎn)組相比ACE值較大,但與右側(cè)DLPFC組相比ACE值較小,右側(cè)DLPFC與頂點(diǎn)組之間無差異;

(6)與頂點(diǎn)組相比,右側(cè)DLPFC組和左側(cè)VLPFC組的ACE均有所降低。右側(cè)DLPFC組和左側(cè)VLPFC組間無顯著差異(圖2)。

表1 不同組中不同搜索類型的平均搜索RT



圖2 在頂點(diǎn)、右側(cè)背外側(cè)前額葉皮層和左側(cè)腹外側(cè)前額葉皮層組中,有意TBR、被動 TBF、替代TBR和主動TBF項目的注意捕獲效應(yīng)(ACE)。


2、記憶測試的結(jié)果

在不同條件下,記憶測驗的準(zhǔn)確率均在93.45%以上。方差分析的結(jié)果顯示,主效應(yīng)和項目類型×組交互作用均不顯著;這些結(jié)果表明,在不同條件下和三組之間,記憶測試的準(zhǔn)確性沒有顯著差異。


四、研究結(jié)論

除了右側(cè)DLPFC和頂點(diǎn)組的被動TBF項目外,所有項目類型的反應(yīng)時都比干擾物匹配實(shí)驗(即ACE)更長。這些記憶項目作為搜索數(shù)組中的干擾物捕獲了受試者的注意力,表明這些項目被保存在工作記憶中。更重要的是,與 TBF 項目相比,TBR 項目在所有組中都表現(xiàn)出更高的 ACE 值,這表明 TBR 項目在記憶痕跡方面優(yōu)于 TBF 項目(即 DF 效應(yīng))。這些發(fā)現(xiàn)表明,受試者能夠根據(jù)線索成功地操縱工作記憶中存儲的信息。

刺激右DLPFC或左VLPFC能夠促進(jìn)主動遺忘。右側(cè)DLPFC的激活可能會改善主動忘記(TBF)項目的直接抑制,從而促進(jìn)在涉及明確記憶線索的條件下對要記住(TBR)項目的選擇性重復(fù)。左側(cè)VLPFC的激活可以改善思維替代過程,在與明確遺忘提示有關(guān)的條件下增強(qiáng)對TBR項目的記憶和對TBF項目的記憶抑制。遺忘是一個主動的過程,可以通過非侵入性的大腦刺激來調(diào)節(jié)。


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